很少人會想到 NAND快閃內存已經快要消失在地平在線、即將被某種新技術取代，筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關于閃存儲存系統的電話會議，聽到不少儲存系統專家試圖把對話導引到IBM在下一代內存技術的規劃上，于是很驚訝地發現這些人居然都認為 NAND閃存很快就會被新內存技術取代。

筆 者在去年7月的HotChips大會上曾經做過一場簡報，指出閃存在未來十年將會是主流內存技術；而現在該產業才剛進入SanDisk所說的 “1Ynm”世代，接著還將邁入“1Znm”世代。SanDisk認為，在”1Znm”之后，平面內存將式微，我們將進入3D內存的時代；其他 NAND閃存制造大廠也有類似的預測。

不過有鑒于這個產業的運作模式，在”1Znm”世代之后，若出現另一條延續平面內存生命的新途徑也不足為奇；因此如果以每個內存世代兩年生命周期來計算，平面閃存應該還能存活4~6年。在那之后，我們則將會擁有3D NAND閃存技術。

雖然三星(Samsung)在去年8月宣布開始量產3D結構的V-NAND閃存，但該產品的稀有性意味著它還沒準備好取代平面內存的地位；筆者猜測，3D內存技術到2017年以前應該都還不會真正的大量生產。

今日大多數廠商都預期3D內存在式微之前也會經歷三個世代，因此同樣以兩年一個世代來計算，NAND閃存技術應該在4~6年之后，還會有另外一個6年的生命；所以在內存產業真的需要新技術來驅動產品價格下降那時，應該已經是10~12年之后了。

我的意思并不是其他內存技術有什么不對，只是目前尚未有足夠的力量讓它們的價格能比 NAND閃存更低廉；而且在 NAND閃存到達制程微縮極限之前，也沒有其他的動能可以改變現在的狀況。無論如何，要達到最低的成本、總是要有最大的產量，NAND閃存與DRAM目前就是比其他任何一種內存技術更便宜的方案。